FDD86250 PÅ

FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON
FDD86250 ON

FDD86250 PÅ

Tilgængelig
Send forespørgsel
');*/ }); })
Produkt detaljer
Undersøgelse
FDD86250 PÅ
Funktioner
MOSFET-teknologi med afskærmet port
Maks. rDs(on)= 22 mdr. ved Vcs = 10 V, lp= 8AMax 「os(on)= 31 m ved Vcs = 6 V, lp=6.5A100% UIL testet
RoHS-kompatibel
Generel beskrivelse
Denne N-Channel MOSFET er produceret _ ved hjælp af FairchildSemiconductorsavanceret PowerTrench-proces, der inkorporerer Shielded Gate-teknologi. Denne proces er blevet optimeret til on-state-modstanden og alligevel opretholder overlegen switching-ydeevne.
"); });

Tips til at få præcise tilbud fra leverandører. Vær så venlig omfatter følgende i din henvendelse:
1. Personlige eller forretningsmæssige oplysninger
2. Giv produktanmodning meget detaljeret
3. Forespørgsel om MOQ, enhedspris osv

Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.

Relaterede produkter