FDI045N10A-F102 TIL
Tilgængelig |
FDI045N10A-F102 TIL
• RDS(on) = 3,8 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
• Hurtig skiftehastighed
• Lav gate-ladning, QG = 54 nC (typ.)
• Højtydende grøftegravsteknologi for ekstremt lav RDS(til)
• Høj effekt og strømhåndteringsevne
• Denne enhed er Pb-fri og er RoHS-kompatibel
• RDS(on) = 3,8 m (Typ.) @ VGS = 10 V, ID = 100 A
• Hurtig skiftehastighed
• Lav gate-ladning, QG = 54 nC (typ.)
• Højtydende grøftegravsteknologi for ekstremt lav RDS(til)
• Høj effekt og strømhåndteringsevne
• Denne enhed er Pb-fri og er RoHS-kompatibel
Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.