IDD06SG60C INFINEON
Tilgængelig
IDD06SG60C INFINEON
• Revolutionerende halvledermateriale - Siliciumcarbid
• Benchmark for skifteadfærd
• Ingen omvendt gendannelse / Ingen fremadrettet gendannelse
• Temperaturuafhængig koblingsadfærd
• Høj overspændingsstrømskapacitet
• Pb-fri blybelægning; RoHS-kompatibel
• Kvalificeret i henhold til JEDEC1) til målapplikationer
• Nedbrydningsspænding testet ved 20mA2)
• Optimeret til drift ved høje temperaturer
• Laveste værdi QC/IF
• Revolutionerende halvledermateriale - Siliciumcarbid
• Benchmark for skifteadfærd
• Ingen omvendt gendannelse / Ingen fremadrettet gendannelse
• Temperaturuafhængig koblingsadfærd
• Høj overspændingsstrømskapacitet
• Pb-fri blybelægning; RoHS-kompatibel
• Kvalificeret i henhold til JEDEC1) til målapplikationer
• Nedbrydningsspænding testet ved 20mA2)
• Optimeret til drift ved høje temperaturer
• Laveste værdi QC/IF
Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.