IDH02G65C5 Infineon

IDH02G65C5 Infineon
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON
IDH02G65C5 INFINEON

IDH02G65C5 INFINEON

Tilgængelig
Send forespørgsel
');*/ }); })
Produkt detaljer
Undersøgelse
IDH02G65C5 INFINEON

 Revolutionerende halvledermateriale - siliciumcarbid
 Benchmark-skifteadfærd
 Ingen omvendt inddrivelse/ ingen fremadrettet inddrivelse
 Temperaturuafhængig koblingsadfærd
 Høj overspændingsstrøm
 Pb-fri blybelægning; RoHS-kompatibel
 Kvalificeret i henhold til JEDEC1) til målapplikationer
 Nedbrydningsspænding testet ved 4,5 mA2)
 Optimeret til drift ved høje temperaturer
"); });

Tips til at få præcise tilbud fra leverandører. Vær så venlig omfatter følgende i din henvendelse:
1. Personlige eller forretningsmæssige oplysninger
2. Giv produktanmodning meget detaljeret
3. Forespørgsel om MOQ, enhedspris osv

Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.

Relaterede produkter