IDW32G65C5B infineon
Tilgængelig
IDW32G65C5B infineon
Revolutionerende halvledermateriale - siliciumcarbid
Benchmark-skifteadfærd
Ingen omvendt inddrivelse/ ingen fremadrettet inddrivelse
Temperaturuafhængig koblingsadfærd
Høj overspændingsstrøm
Pb-fri blybelægning; RoHS-kompatibel
Kvalificeret i henhold til JEDEC1) til målapplikationer
Nedbrydningsspænding testet ved 35 mA2) 3)
Optimeret til drift ved høje temperaturer
Revolutionerende halvledermateriale - siliciumcarbid
Benchmark-skifteadfærd
Ingen omvendt inddrivelse/ ingen fremadrettet inddrivelse
Temperaturuafhængig koblingsadfærd
Høj overspændingsstrøm
Pb-fri blybelægning; RoHS-kompatibel
Kvalificeret i henhold til JEDEC1) til målapplikationer
Nedbrydningsspænding testet ved 35 mA2) 3)
Optimeret til drift ved høje temperaturer
Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.