IMW120R090M1H Infineon

IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon
IMW120R090M1H Infineon

IMW120R090M1H Infineon

Tilgængelig
Send forespørgsel
');*/ }); })
Produkt detaljer
Undersøgelse
IMW120R090M1H Infineon

 Meget lave koblingstab
 Tærskelfri på tilstandskarakteristik
 Bredt gate-source spændingsområde
 Benchmark gate-tærskelspænding, VGS(th) = 4,5 V
 0V sluk-portspænding til nem og enkel portdrev
 Fuldt kontrollerbar dV/dt
 Robust kropsdiode til hård pendling
 Temperaturuafhængige afbrydertab
"); });

Tips til at få præcise tilbud fra leverandører. Vær så venlig omfatter følgende i din henvendelse:
1. Personlige eller forretningsmæssige oplysninger
2. Giv produktanmodning meget detaljeret
3. Forespørgsel om MOQ, enhedspris osv

Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.

Relaterede produkter