TS3USB221ARSER TI
Tilgængelig
TS3USB221ARSER TI
• VCC-drift ved 2,5 V til 3,3 V
• VI/O accepterer signaler op til 5,5 V
• 1,8 V-kompatible kontrolbenindgange
• Energibesparende tilstand, når OE er deaktiveret (1 μA)
• RON = 6 Ω maksimum
• ΔRON = 0,2 Ω typisk
• Cio(on) = 6 pF Typisk
• Lavt strømforbrug (maks. 30 μA)
• Høj båndbredde (900 MHz typisk)
• Latch-up-ydeevne overstiger 100 mA pr. JESD 78, klasse II
• ESD-ydeevne testet i henhold til JESD 22
– 7000-V menneske-krop-model (A114-B, klasse II)
– 1000-V model med opladet enhed (C101)
• ESD-ydeevne I/O til GND
– 12 kV menneske-krop model
• VCC-drift ved 2,5 V til 3,3 V
• VI/O accepterer signaler op til 5,5 V
• 1,8 V-kompatible kontrolbenindgange
• Energibesparende tilstand, når OE er deaktiveret (1 μA)
• RON = 6 Ω maksimum
• ΔRON = 0,2 Ω typisk
• Cio(on) = 6 pF Typisk
• Lavt strømforbrug (maks. 30 μA)
• Høj båndbredde (900 MHz typisk)
• Latch-up-ydeevne overstiger 100 mA pr. JESD 78, klasse II
• ESD-ydeevne testet i henhold til JESD 22
– 7000-V menneske-krop-model (A114-B, klasse II)
– 1000-V model med opladet enhed (C101)
• ESD-ydeevne I/O til GND
– 12 kV menneske-krop model
Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.