NCV1060BD100R2G PÅ

NCV1060BD100R2G PÅ

Name: NCV1060BD100R2G ON
Brand: GETM
Availability: InStock
Rating: 4.9 (30 reviews)

Tilgængelig

');*/ }); })

Produkt detaljer

Undersøgelse

NCV1060BD100R2G PÅ

• Indbygget 670 V MOSFET med RDS(on) på 34 (NCV1060) og 11,4 (NCV1063)
• Stor krybeafstand mellem højspændingsstifter
• Strømtilstand med fast frekvens – 60 kHz eller 100 kHz
• Justerbar spidsstrøm: se nedenstående tabel
• Kompensation for fast rampe
• Direkte feedback-forbindelse til ikke-isoleret konverter
• Internt og justerbart overstrømsbeskyttelseskredsløb (OPP)
• Spring cyklus over kun ved lave spidsstrømme
• Dynamisk selvforsyning: Intet behov for en ekstra vikling
• Intern 4 ms blød start
• Kortslutningsbeskyttelse ved automatisk gendannelse med timerbaseret detektion
• Automatisk gendannelse af overspændingsbeskyttelse med ekstra vikling
• Frekvensomdrejning for bedre EMI-signatur
• Forbrug af input uden belastning < 50 mW

"); });

* Fra

* Budskab

Tips til at få præcise tilbud fra leverandører. Vær så venlig omfatter følgende i din henvendelse:
1. Personlige eller forretningsmæssige oplysninger
2. Giv produktanmodning meget detaljeret
3. Forespørgsel om MOQ, enhedspris osv

Firma

Fuld Navn

Telefon

Fax

Hjemmeside

Land

* Verifikationskode

Indtast venligst en rigtig verifikationskode.

Sørg for, at dine kontaktoplysninger er korrekte. Din meddelelsen vil sendes direkte til modtageren/modtagerne og vil ikke vises offentligt. Vi vil aldrig distribuere eller sælge din personlig oplysninger til tredjeparter uden din udtrykkelige tilladelse.